Patents
2026
단일 웨이퍼 상에서 이종의 마이크로 LED들을 고밀도로 성장시키는 방법
Inventor :
강창모, 정탁, 박준범
Application / Registration No. :
KR 10-2952173
Date :
2026.04.09
등록
KR
마이크로 LED 리페어 장치
Inventor :
박준범, 정탁, 강창모
Application / Registration No. :
KR 10-2917315
Date :
2026.01.20
등록
KR
2025
칩온웨이퍼 상에 금속 필러와 솔더 범프를 전기 증착으로 형성하는 방법 및 플립칩 본딩된 마이크로 LED
어레이 제조 방법
Inventor :
강창모, 김준혁, 최제민, 김영천, 한유경
Application / Registration No. :
10-2025-0160165
Date :
2025.10.30
출원
KR
마이크로 LED 칩의 재배열 공정이 없는 다이렉트 패널 전사 방식의 마이크로 LED 디스플레이 패널 및 이의
제조방법
Inventor :
강창모, 정탁, 박준범
Application / Registration No. :
KR 10-2868339
Date :
2025.09.30
등록
KR
마이크로 LED 패키지 제조방법
Inventor :
박준범, 정탁, 강창모
Application / Registration No. :
KR 10-2843859
Date :
2025.08.04
등록
KR
초고해상도 마이크로 LED 디스플레이 및 이의 제조방법
Inventor :
정탁, 박준범, 강창모
Application / Registration No. :
KR 10-2781184
Date :
2025.03.10
등록
KR
2024
복수 마이크로렌즈 시스템을 포함하는 고감도 적외선 이미지 센서 및 이의 제조 방법
Inventor :
강창모, 김준혁
Application / Registration No. :
10-2024-0158387
Date :
2024.11.08
등록결정
KR
고감도 다중 파장 대역 적외선 이미지 센서 및 이의 제조 방법
Inventor :
강창모, 김준혁
Application / Registration No. :
10-2024-0158208
Date :
2024.11.08
등록결정
KR
2023
마이크로 LED 패키지 및 이를 구비한 디스플레이
Inventor :
정탁, 박준범, 강창모
Application / Registration No. :
10-2023-0181550
Date :
2023.12.14
출원
KR
2019
발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법
Inventor :
강창모, 이동선, 문승현, 최수영
Application / Registration No. :
KR 10-2039992
Date :
2019.10.29
등록
KR
2018
Light emitting diode and manufacturing method therefor
Inventor :
공득조, 이동선, 강창모, 이준엽
Application / Registration No. :
ZL201480077566.2
Date :
2018.10.09
기술이전
등록
CN
Micro display having vertically stacked structure and method of forming the same
Inventor :
강창모, 이동선, 공득조, 최수영
Application / Registration No. :
US 10084020B2
Date :
2018.09.25
등록
US
Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same
Inventor :
공득조, 이동선, 강창모, 이준엽
Application / Registration No. :
US 9,893,233 B2
Date :
2018.02.13
기술이전
등록
US
Separation method of GaN substrate by wet etching
Inventor :
이동선, 공득조, 이준엽, 강창모
Application / Registration No. :
US 9,876,136 B2
Date :
2018.01.23
등록
US
2016
Light emitting diode and manufacturing method therefor
Inventor :
이동선, 공득조, 강창모
Application / Registration No. :
US 9,466,642 B2
Date :
2016.10.11
기술이전
등록
US
Method for growing nitride-based semiconductor with high quality
Inventor :
이동선, 서동주, 이준엽, 강창모, 성원석, 박문도
Application / Registration No. :
US 20160093492 A1
Date :
2016.09.27
등록
US
고품위 질화물계 반도체 성장방법
Inventor :
이동선, 서동주, 이준엽, 강창모, 성원석, 박문도
Application / Registration No. :
KR 10-1591677
Date :
2016.01.29
등록
KR
2015
성장용 기판, 이를 이용한 발광 다이오드 및 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
Inventor :
이동선, 공득조, 강창모, 이준엽, 서동주
Application / Registration No. :
KR 10-1523084
Date :
2015.05.19
등록
KR
다중 접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 형성방법
Inventor :
이동선, 공득조, 강창모
Application / Registration No. :
KR 10-1490174B1
Date :
2015.01.30
기술이전
등록
KR
2014
습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법
Inventor :
이동선, 공득조, 이준엽, 강창모
Application / Registration No. :
KR 10-1471621B1
Date :
2014.12.04
등록
KR
발광다이오드 및 이의 제조방법
Inventor :
공득조, 이동선, 강창모, 이준엽
Application / Registration No. :
KR 10-1452801
Date :
2014.10.14
기술이전
등록
KR